性能是存储设备生产厂家重要竞争力，也是客户最直观了解的方面。得一微在怎么检查性能可优化点，以及长时间使用能维持性能平稳方面，提出了更高的追求。

1性能上限

在Host进行写读操作时，性能的上限是由总线的数据传输速度加上Flash操作时间来确定的。一个通道理想的写入状态是，数据总线一直被有效数据占据。这个时候不可避免会存在的影响性能的方面为：

1. 命令发送时间：无法避免的部分

2. RB时间：通过切CE等方式解决，这里不做讨论

3. 非Host数据传输时间：不属于Host使用的Flash带宽

4. FW运行时间：不能隐藏在Flash操作中的耗时操作

在固定Flash模型之后，就要去尽量的靠近性能上限。实际对Flash进行操作时，会有大量时间不处于理想状态，经常出现实际测量速度小于计算速度。该文章就是在讨论：如何缩短不理想状态的用时占比。

2怎么确认细枝末节

怎样在这些细枝末节处判断，是否能进一步优化呢？较好的方式是使用逻辑分析仪抓取一份时序图。观察时序图中是否有明显数据总线空白时间，以及表格刷新时间是否合理。

下图是抓取的一个较好的写命令波形。可以看到DataBus总是被写入数据占用，没有大量空白的现象。写的过程中，RB总线一直处于繁忙状态，FW没有去等待上一次写命令的RB，而是切换CE进行操作。同时也可以观察到存在数据总线为空白的状态。

但是当放大该部分可以看到，足足有400+us是没有进行Flash操作的。在各个接口都加入GPIO8的输出后：就可以根据波形分析出此处在走什么流程，以及怎样去减少不必要的时间损耗。

3减少非必须带宽占用

写入Flash的数据可以分为：Host写入数据，表格数据、冗余数据、填充数据。除Host写入数据外，其他数据对Host来说都是不必要的写入，但又是固件运行所需要的。减少非Host数据的刷新，也是对性能的一个优化。

某版本测试下4K随机写入，平均只有30+M/S：

得一微团队发现了该细节，通过减少非Host使用的Flash带宽，得平均性能提升到了70M/S：

最终测试得到两个容量相差一倍的相同颗粒盘，采用了该方案的却能在4K随机瞬时写性能上做到一致，甚至在4K随机满盘更加优秀。

4总结

通过在时序图中分析每段时间占用情况，可以更好的了解性能阻塞点。可以分析出产品内部是处于一个什么样的状态？正在处理怎样的事情？耗时是否合理？以及是否可以进行优化？正是得一微团队在细枝末节中不断计较，不断精进，不断优化，用匠心磨砺产品，才能使得产品获得更高的速度、更平稳可靠的状态以及更优的性能表现。

基于如此追求，得一微旗下全自主工业存储解决品牌“硅格 (SiliconGo)”，为行业客户提供完整的工业用固态存储解决方案，产品皆搭载得一微自研的主控芯片，具备宽温、高度客制、高可靠性、高密度封装、大容量等特性，能够保障产品在严苛环境下的数据完整性和可靠性，已广泛应用于轨道交通、工业电脑、服务器、视频监控、网络通讯、电力能源、智能家居、车载等众多领域。