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11月2日，2026年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在横琴粤澳深度合作区天沐琴台会议会展中心举行。得一微电子（YEESTOR）自主研发的PCIe Gen5 AI-MemoryX存力主控芯片YS9503荣获“优秀技术创新产品”奖。这是得一微电子第五次在“中国芯”评选中获奖，持续印证公司在存力主控领域扎实的技术创新与成熟的产业化落地能力。
“中国芯”优秀产品征集活动由工业和信息化部指导，中国电子信息产业发展研究院主办，是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业活动之一。其中“中国芯”优秀技术创新产品奖项，面向技术创新性强、有自主知识产权、对完善自主供应链产生协同效益的优秀本土芯片产品。
AI-MemoryX存力主控YS9503荣获“优秀技术创新产品”奖
高性能存力，夯实端侧AI数据底座
在AI算力需求从云端向端侧迁移的背景下，端侧AI体验越来越取决于存储子系统能否持续、稳定地供给数据，存力主控的技术创新正成为其中的关键环节。
此次获奖的YS9503芯片，基于得一微电子AI-MemoryX智能存力架构，从制程与电路架构层面协同优化，在无独立DRAM缓存的精简设计下实现旗舰级性能：顺序读取14.8GB/s、顺序写入14.3GB/s，随机读写均达300万IOPS，并搭载分离命令地址（SCA）技术提升高并发场景下NAND接口效率，保障AI数据吞吐场景下芯片与闪存间的高效传输。同时，YS9503有效降低了物料成本与主板布局复杂度，并在功耗与散热方面表现出色，轻薄型设备无需额外散热配置即可完整释放PCIe Gen5带宽，让高性能AI存储能力得以进入更多样的终端形态。
存储升级为存力，端侧存算协同新范式
得一微电子AI-MemoryX智能存力架构并非传统缓存加速，而是将存储控制器从被动数据通道升级为面向推理的存算协同层。
该架构集成NDP近数据处理加速引擎，在控制器内完成数据预处理与轻量级计算，降低数据搬运开销；通过注意力感知预取技术，将AI推理过程中碎片化随机小I/O整合为连续数据流，实现MoE专家权重流式加载与切换，避免显存瓶颈；通过KV Cache预测性智能分层加速技术，将高频数据驻留在高速缓存区、低频数据自动卸载至SSD闪存层。SSD由此成为显存的弹性扩展层，为本地AI计算提供不间断的数据供给。
依托AI-MemoryX智能存力架构，可为端侧AI打造高性能、低功耗、易扩展的存储-计算协同底座，端侧设备由此具备支撑本地大模型推理所需的数据吞吐能力，推动AI大模型在终端高效规模化落地。
锚定AI存力战略，全场景释放端侧智能
从AI手机到AI PC，从智能汽车到智慧工业，端侧智能化浪潮持续推进，存储的角色正在从数据“仓库”转变为算力的“加速器”。得一微电子以“AI存力芯片”为核心战略，围绕存储控制、存算互联与存算一体三大技术方向构建产品矩阵，全面覆盖AI手机、AI PC、AIoT、AI汽车及AI Infra基础设施等领域，为端侧AI应用提供全场景底层存力支撑，让每比特数据创造更多智能价值。
得一微电子将持续聚焦AI计算场景下的内存共享、存储架构与高速互连的全栈协同，深耕存力主控芯片技术创新与产业化落地，为全球AI产业释放更澎湃的存力动能。
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