日前，深圳市得一微電子有限責任公司受邀參加2019“中國芯”集成電路産業促進大會，并在大會同期舉辦的“中國芯”優秀産品評選中，标杆式産品PCIe Gen3 x 4 NVMe 1.3 SSD 控制芯片 YS9203獲得“優秀技術創新産品”稱号！

YS9203獲中國芯“優秀技術創新産品”獎

此次評選，由來自125家芯片企業，累計187款芯片産品進行角逐，得一微電子存儲控制技術創新突破，脫穎而出，獲得殊榮。

YS9203這顆SSD固态硬盤控制芯片針對旗艦消費級以及輕企業級應用而打造，得益于硬件和固件上的優化，該主控将充分發揮NVMe1.3的性能。它提供PCIe 4個Lane和8個NAND Flash通道，支持3D MLC/TLC/QLC的NAND，使用LDPC以及Enhance RAID增強了數據可靠性和耐久性。支持1.2V和1.8V接口電壓，支持國密SM2/SM3/SM4，TCG OPAL。消費級工作溫度範圍：0°C-70°C，工業級工作溫度範圍：-40°C-85°C。順序讀寫速度高達3500MB/s，3200MB/s，随機讀寫速度都高達800K IOPS，性能卓越。

此次“中國芯”大獎頒發給得一微電子，充分肯定了公司在産品創新、技術創新和應用創新方面的成果，以及對行業發展的引領帶動作用。

吳大畏分享：中國存儲控制芯片如何從跟随到引領

在峰會現場，得一微電子總經理吳大畏發表主題為“中國存儲控制芯片如何從跟随到引領”的演講。

從跟随到引領，這個主題很好的诠釋了目前中國大力發展存儲産業之下國内存儲控制芯片廠商的現狀與發展策略，探讨了前進的方向。

吳大畏指出，全球存儲市場持續穩定增長，中國勢力在崛起。2019年到2022年閃存預計主要消耗方向以SSD和移動應用為主，尤其是SSD的增速很快。SSD出貨量又以消費級SSD為主，同時消費級SSD和企業級SSD均表現良好的增長。此外，嵌入式市場在未來三年将表現出UFS3.0的強勁增長。這些增長點，正是中國本土閃存産業崛起的大好機會。

最近，長江存儲的64層 3D NAND已經量産，未來将推出128層 3D NAND，在應用端又有江波龍、七彩虹、台電科技、銘瑄、朗科、海康威視等衆多SSD品牌的需求支撐，國内存儲控制芯片廠商有策略、有實力地抓住閃存應用新的市場增長機會，共同推動中國存儲産業崛起的實現。

吳大畏說，存儲控制芯片存在三大定律，馬太定律、沒有免費午餐NFL定律、反摩爾定律。簡單來說，這三個定律就意味着，存儲控制芯片廠商強者恒強，一份耕耘才能一份收獲，隻有持續地演進産品，擴充品類，拓寬邊界，才有生存空間。

存儲控制芯片發展就好像是一場耐力賽，比拼的是持久。閃存應用不斷在拓展，閃存持續更新，領跑者有時候隻是破風者，各領風騷，隻有持續不斷的投入，才能在競争中存活下來，得勢者為王。

從跟随者到引領者，本土存儲控制芯片公司應該如何做呢？在中心化市場和去中心化市場，不同市場細分中的引領有不同的關鍵。吳大畏總結了全球開放的商業市場，全球開放的消費市場，中國引領世界的行業市場，以及自主可控市場的核心成功要素。其中重點指出，随着産業鍊上下遊在國内的大發展，存儲控制環節的水漲船高會首先發生在全球開放的消費市場，成功要素具備了全産品線，綜合成本領先，技術突破，産業鍊整體發展，生态系統構建以及資本支持等幾個方面，才能順應趨勢，引領市場。而全球開放的商業市場，需要創新的商業模式，平台化的發展，開放的生态，結合系統級的創新，中心化标準的制定，高集中度資本支持才能取得綜合優勢。

得一微電子如何創新突圍

得一微電子作為國内具有領導地位的存儲控制芯片設計企業，專注于消費級和企業級固态存儲控制芯片設計和服務，建立了完整的存儲控制芯片産品線。掌握業界多項關鍵技術，擁有國内外多項核心發明專利，具備成熟的存儲控制芯片設計流程，在産品定義、技術整合、構架創新、固件支持等方面不斷突破。資本上也獲得了多家知名企業的投資，包含華登國際、江波龍電子、兆易創新、中芯聚源、清華控股、國投創合、TCL、泰科源、傳音控股等行業巨頭。

本土存儲控制芯片企業作為中國存儲産業崛起的一個重要環節，不能單打獨鬥，唯有共同拓展開放生态藍圖。因此，吳大畏表示，得一微電子全力構建開放的FTL構架，彈性的硬件構架，提供信息安全的接口和靈活的合作模式，将與産業界共建存儲生态，共享存儲發展。